[实用新型]一种磁传感器结构有效
| 申请号： | 201320245005.1 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN203287508U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 文明;徐磊磊;熊红斌 | 申请（专利权）人： | 文明 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315175 浙江省宁波市鄞*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 针对各向异性磁电阻数值低的问题，本实用新型提供一种磁传感器结构，包括衬底、各向异性磁电阻传感单元，其中，N个各向异性磁电阻传感单元沉积在衬底上，且N大于1；各向异性磁电阻传感单元包括铂电极、各向异性敏感层、金电极，且铂电极位于最底层，各向异性敏感层位于铂电极上，金电极位于各向异性敏感层上。本实用新型的各向异性磁电阻传感器包含多个传感单元，能够增加各向异性磁电阻传感器的磁电阻的数值，且各向异性敏感层位于铂电极和金电极之间，能够增加电子的反射，降低噪音，提高其磁场探测的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 结构 | ||
【主权项】：
一种磁传感器结构，包括衬底、各向异性磁电阻传感单元，其特征在于：所述的N个各向异性磁电阻传感单元沉积在衬底上，且N大于1；所述的各向异性磁电阻传感单元包括铂电极、各向异性敏感层、金电极，且铂电极位于最底层，各向异性敏感层位于铂电极上，金电极位于各向异性敏感层上。
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