[实用新型]一种基于双光子晶体层的LED芯片有效
| 申请号： | 201320260259.0 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN203312352U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 罗锦贵 | 申请（专利权）人： | 四川海金汇光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/40;H01L33/10 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 冉鹏程 |
| 地址： | 629300*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于双光子晶体层的LED芯片，所述LED芯片从下到上依次包括铜散热层、绝缘层、P型电极层、反射层、P型GaN层、N型GaN层、GaN缓冲层、透明电极层和N型引线电极，所述铜散热层的面积大于P型电极层的面积。本实用新型采用铜散热层，既可作为激光剥离时的散热材料，又可解决大功率LED芯片的整体散热问题，还可通过电极微结构大大提高出光效率，同时又解决了大功率芯片载流子的注入问题，改进后的电极结构使得芯片面积大大增加，增加了发光面积和提高了单片的功率，生产方便，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种基于双光子晶体层的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片从下到上依次包括铜散热层（1）、绝缘层（2）、P型电极层（3）、反射层（4）、P型GaN层（5）、N型GaN层（6）、GaN缓冲层（7）、透明电极层（8）和N型引线电极（9），所述铜散热层（1）的面积大于P型电极层（3）的面积。
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