[实用新型]基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构有效
| 申请号： | 201320264482.2 | 申请日： | 2013-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN203300644U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 梁明;张雷;乔羽波 | 申请（专利权）人： | 深圳市盛元半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构，包括双基岛的DIP8铜支架，固晶时选取晶元上两颗相近的UPGAT芯片Q1、Q2独立焊接到所述双基岛的DIP8铜支架上，通过后续的焊线、塑封以及测试使得晶元上两颗相近的UPGAT芯片封装成DIP8。本实用新型提高了电路的可靠性，节约了生产成本，节能降耗，具有一定的应用与推广价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 联栅型 晶体管 双基岛 封装 形式 结构 | ||
【主权项】：
基于联栅型晶体管的双基岛封装形式结构，包括双基岛的DIP8铜支架，其特征是：固晶时选取晶元上两颗相近的UPGAT芯片Q1、Q2独立焊接到所述双基岛的DIP8铜支架上，通过后续的焊线、塑封以及测试使得晶元上两颗相近的UPGAT芯片封装成DIP8。
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