[实用新型]一种可自定义分光比的集成光功率分路器有效

专利信息
申请号: 201320282966.X 申请日: 2013-05-21
公开(公告)号: CN203287558U 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 胡灿栋;刘勇;张丽丹;吴克非;陆昇 申请(专利权)人: 杭州天野通信设备有限公司
主分类号: G02B6/125 分类号: G02B6/125;G02B6/13
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 311400 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种可自定义分光比的集成光功率分路器,涉及光通信分光技术领域,意在提供一种可自定义分光比的集成光功率分路器,在制造时可根据自行设计的分光比需要进行制造,且稳定性好,制作简单。其步骤为:选择石英制作衬底层,选择折射率低的纯材料制作下包层,选择折射率高的掺杂材料制作芯层,将芯层加工成Y型波导光路,选择与下包层折射率相同的掺杂材料制作上包层,在Y型波导光路的拉锥型分叉段一侧方的上包层内设置波导凹槽,选择折射率符合分光比设计要求的辅助波导材料注入到波导凹槽内固化后形成辅助波导块,最后通过封装技术进行贴盖板封装。本实用新型主用应用于光通信分光技术中。
搜索关键词: 一种 自定义 分光 集成 功率 分路
【主权项】:
一种可自定义分光比的集成光功率分路器,其特征在于,包括,衬底层、下包层、芯层、上包层和贴盖板,采用石英材料制作衬底层,并对衬底层的表面进行抛光处理;在衬底层的上表面,采用折射率低的纯材料,通过CVD方法沉积制作厚度为16‑30微米的下包层;在下包层的上表面,采用折射率高的掺杂材料,通过CVD方法沉积制作厚度为6微米的芯层; 采用光刻和刻蚀工艺对芯层进行处理,将芯层加工成截面为6×6微米的Y形波导光路;采用与下包层折射率相同的掺杂材料,在下包层的上表面以及Y形波导光路的上表面,通过CVD方法沉积制作厚度为16‑30微米的上包层,使Y形波导光路除输入端和输出端外均被密封在上包层和下包层之间;在Y形波导光路的拉锥型分叉段一侧方的上包层内设置波导凹槽,波导凹槽的槽底落在下包层的上表面上或落在下包层内,波导凹槽的开口在上包层的上表面上,且波导凹槽距离Y形波导光路0.4‑2.3微米,波导凹槽的宽度为8微米,波导凹槽的长度要根据Y形波导光路的拉锥型分叉段长度来设定,并且波导凹槽的一端要超过拉锥型分叉段的锥底30微米,波导凹槽的另一端与拉锥型分叉段的锥尖平行;选择折射率符合分光比设计要求的辅助波导材料注入到波导凹槽内,并让辅助波导材料在波导凹槽内固化;通过封装技术进行贴盖板封装。
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