[实用新型]一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件

摘要

一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，涉及一种共面结构型电光聚合物薄膜传感技术。它为了解决现有共面结构型电光聚合物薄膜传感器件电光聚合物薄膜利用率低、有效电场低和应用不方便的问题。本实用新型包括共面结构型电光聚合物薄膜器件、陶瓷电路板和封装屏蔽壳，共面结构型电光聚合物薄膜器件与陶瓷电路板通过硅化铝紧密焊接在一起，共面结构型电光聚合物薄膜器件的电极输出端通过覆铜线与陶瓷电路板上表面的焊盘连接，共面结构型电光聚合物薄膜器件采用微观插指结构。本实用新型具有电光聚合物薄膜利用率高、响应探测效率高和应用不便捷的优点。本实用新型适用于太赫兹波探测领域。

主权项

一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件，其特征在于，它包括共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)、陶瓷电路板(2)和封装屏蔽壳(3)，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)为正方形薄板，陶瓷电路板(2)的下表面中心位置开设有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的边长小于共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的边长，陶瓷电路板(2)的上表面中心位置开有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽为正方形、且其边长与共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的边长相等，所述薄膜固定槽的底部与正方形的凹槽的顶部连通，共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)嵌入固定在薄膜固定槽内，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)与陶瓷电路板(2)的连接处通过硅化铝焊接固定，封装屏蔽壳(3)固定在陶瓷电路板(2)中心的正上方、且覆盖共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的两个电极输出端位于封装屏蔽壳(3)的内侧，所述封装屏蔽壳(3)设置有石英窗口，所述石英窗口位于共面结构型电光聚合物薄膜器件(1)的正上方。