[实用新型]一种高频晶体管有效
| 申请号： | 201320287654.8 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN203325909U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 高宗利 | 申请（专利权）人： | 辽阳泽华电子产品有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45 |
| 代理公司： | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人： | 王东煜 |
| 地址： | 111200 辽宁省辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高频晶体管，包括高频晶体管的外延片，所述的外延片背面设有背金层，所述背金层为金属Pt（铂）层与Au（金）层的二层合金化金属层结构。所述的由Pt层与Au层所形成的背金层的总厚度为1±0.10μm，外延片与背金层总厚度小于140微米。本实用新型经超减薄后采用二层金属依次溅射在外延片背面，在构成外延片的Si（硅）层、Pt（铂）层、Au（金）层中，相邻层材料之间具有良好的匹配性，可以相互之间的接触电阻达到最小，最终导致整体的接触电阻都较小，可降低晶体管的高频损耗，提高高频特性。本实用新型广泛应用在微电子电路中，能耗低，寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高频晶体管，包括高频晶体管的外延片（1），其特征在于所述的外延片（1）背面设有背金层，所述背金层为金属Pt层（2）与 Au层（3）的二层合金化金属层结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辽阳泽华电子产品有限责任公司，未经辽阳泽华电子产品有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320287654.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蓄电池极板化成装置
- 下一篇：旋转型除蜡器
- 同类专利
- 专利分类
