[实用新型]半导体激光发生装置有效
| 申请号： | 201320288621.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN203326357U | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王静娜 | 申请（专利权）人： | 王静娜 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/026;A61N5/067 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315500 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体激光发生装置，包括半导体激光芯片、光纤耦合器以及输出光纤，所述半导体激光芯片通过光纤耦合器与输出光纤进行连接，所述激光发生装置还包括驱动电路板和输出头，所述驱动电路板与半导体激光芯片电连接，所述输出头连接输出光纤的输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 发生 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光发生装置，包括半导体激光芯片(1)、光纤耦合器(2)以及输出光纤(3)，所述半导体激光芯片(1)通过光纤耦合器(2)与输出光纤(3)进行连接，其特征在于，所述激光发生装置还包括驱动电路板(4)和输出头(5)，所述驱动电路板(4)与半导体激光芯片(1)电连接，所述输出头(5)连接输出光纤(3)的输出端。
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