[实用新型]场效应晶体管及用于场效应晶体管的边缘结构有效

专利信息
申请号: 201320300304.0 申请日: 2013-05-29
公开(公告)号: CN203277387U 公开(公告)日: 2013-11-06
发明(设计)人: 马荣耀;李铁生;王怀锋 申请(专利权)人: 成都芯源系统有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/772;H01L29/78
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 611731 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提出了一种场效应晶体管及用于该场效应晶体管的边缘结构。根据本公开的实施例,场效应晶体管包括形成于有效单元区域中的晶体管单元和形成于边缘区域中的边缘结构。该边缘结构包含多个槽型隔离单元,由边缘区域的内侧至外侧方向依次排布;其中最靠近边缘区域内侧的起始槽型隔离单元将场效应晶体管的体区分隔成有效体区和电悬浮的悬浮体区;并且该起始槽型隔离单元与晶体管单元的栅区电耦接,其余槽型隔离单元电悬浮。该边缘结构不仅能很好的将边缘区域与有效单元区域隔离,以保护有效单元区域中的晶体管单元不受边缘区域载流子的影响,而且解决了起始槽型隔离单元易于击穿的问题,使晶体管具有相对较高的反向击穿电压和较好的工作稳定性。
搜索关键词: 场效应 晶体管 用于 边缘 结构
【主权项】:
一种场效应晶体管,其特征在于,包括:衬底,包括有效单元区域和边缘区域,所述边缘区域位于所述有效单元区域的外围;多个晶体管单元,形成于所述有效单元区域中,其中每个晶体管单元包括漏区、栅区、有效体区和源区,所述源区位于所述有效体区中,且与所述栅区横向相邻地形成于所述栅区的两侧;悬浮体区,位于所述边缘区域中;以及多个槽型隔离单元,形成于所述边缘区域中,由所述边缘区域的内侧向所述边缘区域的外侧方向依次排布;其中:每个槽型隔离单元包括形成于第一型沟槽中的介电层和导电层,该介电层布于该第一型沟槽的侧壁和底部,该导电层填充布有该介电层的该第一型沟槽;所述多个槽型隔离单元中最靠近所述边缘区域内侧的起始槽型隔离单元将所述有效体区与所述悬浮体区隔离,使所述悬浮体区电悬浮;并且所述起始槽型隔离单元与所述晶体管单元的栅区电耦接,其余槽型隔离单元电悬浮。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司,未经成都芯源系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320300304.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top