[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320300992.0 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN203481223U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 铃木和贵;是成贵弘 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实用新型涉及半导体器件。提供了能够减小源极电极间电阻RSS（导通）并且减小芯片大小的半导体器件。根据本实用新型的半导体器件包括：芯片，其被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及，公共漏极电极，其被设置在芯片的背表面上，其中，在第一和第三区域之间形成第二区域，在第一区域和第三区域中形成第一MOSFET，并且在第二区域中形成第二MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括： 芯片，所述芯片被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及 公共漏极电极，所述公共漏极电极被设置在所述芯片的背表面上，其中， 所述第二区域形成在所述第一区域和所述第三区域之间， 第一MOSFET形成在所述第一区域和所述第三区域中，并且 第二MOSFET形成在所述第二区域中。
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