[实用新型]一种耐高温的射频同轴转接器有效
申请号: | 201320316051.6 | 申请日: | 2013-06-03 |
公开(公告)号: | CN203326203U | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 胡汝刚 | 申请(专利权)人: | 合肥市半山阁电子科技有限公司 |
主分类号: | H01R13/40 | 分类号: | H01R13/40;H01R24/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230051 安徽省合肥市包河*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种耐高温的射频同轴转接器,所述射频同轴转接器包括:第一内导体、第二内导体、玻璃绝缘子,所述玻璃绝缘子包括:中心导体和玻璃子,中心导体一端与第一内导体压接在一起,形成第一压接部;中心导体另一端与第二内导体压接在一起,形成第二压接部。本实用新型所述的一种耐高温的射频同轴转接器,利用烧结的玻璃绝缘子代替复合材料的绝缘支撑,产品耐高温从现有的160℃提高到400℃以上,且两侧设计补偿机构,电压驻波比在DC~40GHz范围内,控制在1.30以内。产品采用压接结构,整体成本降低60%左右,可以实现批量生产。产品通过试验和实际使用验证,满足使用要求,实施效果显著。 | ||
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【主权项】:
一种耐高温的射频同轴转接器,其特征是,所述射频同轴转接器包括:第一内导体(10)、第二内导体(20)、玻璃绝缘子(30),所述玻璃绝缘子(30)包括:中心导体(31)和玻璃子(32),中心导体(31)一端与第一内导体(10)压接在一起,形成第一压接部(11);中心导体(31)另一端与第二内导体(20)压接在一起,形成第二压接部(21)。
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