[实用新型]一种低功耗快速启动电路及电流源有效

专利信息
申请号: 201320330896.0 申请日: 2013-06-07
公开(公告)号: CN203313145U 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 陈莹梅;罗贤亮 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;G05F1/56
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种低功耗快速启动电路及电流源,所述启动电路,包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6和电流镜单元;所述电流源包括所述启动电路和电流源单元。本实用新型提供的低功耗快速启动电路及电流源,整个启动电路只需6个小面积的MOS管,结构简单,相比其他启动电路而言,节省了芯片面积;运行可靠性高,能快速启动,只要电流源单元正常工作后,导通的MOS管瞬间可将VDD/2电势点抬至高电位VDD,从而关断启动电路,整个启动、关断过程短暂,最快能达到纳秒级,并且可以根据电子系统的需要,调整启动时间;在系统进入稳定工作状态后,启动电路仅需皮瓦级静态功耗。
搜索关键词: 一种 功耗 快速 启动 电路 电流
【主权项】:
一种低功耗快速启动电路,其特征在于:包括PMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M6和电流镜单元,所述电流镜单元包括NMOS管M3和NMOS管M4:所述PMOS管M1的衬底、PMOS管M1的栅极和PMOS管M1的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M1的漏极接入节点1;所述NMOS管M2的衬底、NMOS管M2的栅极和NMOS管M2的源极接地GND,所述NMOS管M2的漏极接入节点1;所述NMOS管M3的栅极接入节点3,所述NMOS管M3的源极接地GND,所述NMOS管M3的漏极作为该启动电路的第一输出端;所述MOS管M4的栅极接入节点3,所述NMOS管M4的源极接地GND,所述MOS管M4的漏极接入节点4;所述PMOS管M5的栅极作为该启动电路的第二输出端,所述PMOS管M5的源极接直流电源VDD,所述PMOS管M5的漏极接入节点2;所述PMOS管M6的栅极接入节点2,所述PMOS管M6的源极接直流电源VDD,PMOS管M6的漏极接入节点4;所述节点1和节点2相接,所述节点3和节点4相接。
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