[实用新型]一种基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器有效
申请号: | 201320331931.0 | 申请日: | 2013-06-09 |
公开(公告)号: | CN203312316U | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 何梁;陶春先;张大伟;卢忠荣;洪瑞金;黄元申 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/101;H01L31/0216 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器,其特征在于,包括石英透镜、变频反射镜、可见光增透透镜和硅基探测器,四个部件都安装在内部涂黑的密封装置中,石英透镜安装至密封装置的入射窗口处,外部光源入射通过石英透镜后,入射到镀有荧光薄膜的变频反射镜上,光经变频反射镜反射到反射镜的下方的可见光增透透镜,经可见光增透透镜聚焦到水平安装在密封装置底部的硅基探测器上。实现紫外成像探测。在荧光薄膜反射发光面直接接收,避免了荧光薄膜透射接收时不可避免的自吸收损耗,有效提高了硅基探测器的紫外探测能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 荧光 薄膜 反射 接收 紫外 探测器 | ||
【主权项】:
一种基于荧光薄膜的反射接收的紫外硅基探测器,其特征在于,包括石英透镜、变频反射镜、可见光增透透镜和硅基探测器,四个部件都安装在内部涂黑的密封装置中,石英透镜安装至密封装置的入射窗口处,外部光源入射通过石英透镜后,入射到镀有荧光薄膜的变频反射镜上,光经变频反射镜反射到反射镜的下方的可见光增透透镜,经可见光增透透镜聚焦到水平安装在密封装置底部的硅基探测器上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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