[实用新型]用于测量集成电路器件中的温度和电流的系统有效
| 申请号： | 201320341988.9 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN203414187U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | F.约斯特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;G01R19/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本实用新型涉及用于测量集成电路器件中的温度和电流的系统。实施例涉及半导体器件中的温度和电流的测量。特别地，实施例涉及单片半导体和传感器器件，其中所述半导体诸如功率半导体之类，所述传感器诸如电流或温度传感器。在实施例中，温度和/或电流感测特征被单片集成在半导体器件内。与在实际半导体器件附近或沿着实际半导体器件提供温度和电流感测但是不被集成在实际半导体器件内的常规解决方案相比，这些实施例从而可提供温度和电流的直接测量。例如，在一个实施例中，附加的层结构在后端处理中应用于功率半导体叠层。该单片集成保证了温度和/或电流的局部测量，即胜过常规的并列配置的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 集成电路 器件 中的 温度 电流 系统 | ||
【主权项】：
一种单片半导体器件，其包括：半导体器件部分；以及传感器部分，其与半导体器件部分一起单片形成，且被配置为感测半导体器件部分的至少一个特性。
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