[实用新型]一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201320355417.0 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN203367340U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7），本实用新型有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 设置 sls gan 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种设置N‑SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7）。
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