[实用新型]一种高取光率的蓝光发光二极管外延片结构有效
| 申请号： | 201320358798.8 | 申请日： | 2013-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN203406314U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 牛志宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市德颖光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 马腾飞 |
| 地址： | 523330 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高取光率的蓝光发光二极管外延片结构。其包括自下而上依次设置的钼衬底、P-CaN下接触层、PAICaN下过渡层、InGaN/GaN发光层、PAICaN上过渡层和P-CaN上接触层；所述钼衬底上表面设有若干第一光提取槽，所述P-CaN下接触层下表面设有与所述第一光提取槽尺寸及数量上相配合的光提取凸体，所述PAICaN下过渡层上表面设有若干第二光提取槽，所述InGaN/GaN发光层下表面设有与所述第二光提取槽尺寸及数量上相配合的发光凸体，所述第一光提取槽、第二光提取槽的底面上，以及光提取凸体的顶端均设有光提取结构。本实用新型提高了发光层发出的光的提取率，增强了外延片的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高取光率 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种高取光率的蓝光发光二极管外延片结构，其特征是：包括自下而上依次设置的钼衬底（1）、P‑CaN下接触层（2）、PAICaN下过渡层（3）、InGaN/GaN发光层（4）、PAICaN上过渡层（5）和P‑CaN上接触层（6）；所述钼衬底（1）上表面设有若干第一光提取槽（7），所述P‑CaN下接触层（2）下表面设有与所述第一光提取槽（7）尺寸及数量上相配合的光提取凸体（8），所述PAICaN下过渡层（3）上表面设有若干第二光提取槽（9），所述InGaN/GaN发光层（4）下表面设有与所述第二光提取槽（9）尺寸及数量上相配合的发光凸体（10），所述第一光提取槽（7）、第二光提取槽（9）的底面上，以及光提取凸体（8）的顶端均设有光提取结构。
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