[实用新型]反极性四元发光二极管的N电极结构改良有效

专利信息
申请号: 201320360418.4 申请日: 2013-06-21
公开(公告)号: CN203415611U 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 项嵩仁;谢武伦;曹胜凯;洪茂峰;曾于庭 申请(专利权)人: 诚盟电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 赵郁军
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种反极性四元发光二极管的N电极结构改良,该N电极是应用于四元材料的反极性发光二极管的N型半导体层;该N电极包括一圆形的结合衬垫,以及两组从该结合衬垫向该N型半导体层的左方向及右方向或上方向及下方向延伸的支脚组;每一支脚组包括三个直线延伸的指状物,三个指状物彼此平行,并保持相等距离;三个指状物分别具有一终端,各个终端至该N型半导体层的边缘的距离相同。本实用新型在不影响电流分布的基础上,缩减N电极结构相对于N型半导体层暴露面的布局密度和面积比例,提高了发光二极管的发光效率。
搜索关键词: 极性 发光二极管 电极 结构 改良
【主权项】:
一种反极性四元发光二极管的N电极结构改良,该N电极是应用于四元材料的反极性发光二极管的N型半导体层;其特征在于:该N电极包括一圆形的结合衬垫,以及两组从该结合衬垫向该N型半导体层的左方向及右方向或上方向及下方向延伸的支脚组;每一支脚组包括三个直线延伸的指状物,三个指状物彼此平行,并保持相等距离;三个指状物分别具有一终端,各个终端至该N型半导体层的边缘的距离相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诚盟电科技股份有限公司,未经诚盟电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320360418.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top