[实用新型]GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统有效
| 申请号： | 201320363888.6 | 申请日： | 2013-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN203405514U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 沈美根;陈强;郑立荣;张复才;多新中;姚荣伟;闫锋;张梦苑 | 申请（专利权）人： | 江苏博普电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 214131 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，通过矢量网络分析仪测试GaN HEMT微波功率器件的S参量或通过半导体分析仪测试GaN HEMT微波功率器件脉冲直流特性，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器BiasTee将脉冲射频信号加载到被测器件GaN HEMT的栅极和漏极；两路不同电压等级的直流电源通过两组开关分别加载在两个偏置器BiasTee上。本实用新型的GaN HEMT微波功率器件的脉冲直流测试系统，在对GaN HEMT微波功率器件测试时，采用脉冲直流电压，由两组开关电路控制施加在偏置器上的直流电源的导通，避免持续对GaN HEMT施加直流电压，造成GaN HEMT的自加热现象，导致恶化微波功率器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | gan hemt 微波 功率 器件 脉冲 直流 测试 系统 | ||
【主权项】：
一种GaN HEMT微波功率器件脉冲直流测试系统，通过分析仪测试GaN HEMT微波功率器件，其特征是，分析仪的两个输出端分别通过一偏置器Bias Tee将同步脉冲射频信号加载到被测器件GaN HEMT的栅极或漏极；两路不同电压等级的直流电源通过两组开关分别加载在两个偏置器Bias Tee上。
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