[实用新型]一种MOS超势垒整流器件有效
| 申请号： | 201320371930.9 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN203312301U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;丁磊 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 孙高 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOS超势垒整流器件，该整流器件设置了沟槽，第二导电类型注入区包裹沟槽,所述MOS超势垒整流器的MOS单元由所述第一导电类型注入区作为源极/漏极，第二导电类型注入区靠近第一表面区域形成沟道区、第一导电类型漂移区作为漏极/源极、第二绝缘氧化层作为栅氧化层、第一电极作为栅极。这种结构可替代保护环结构，相比现有技术节省了一次光照，并且保证了第二导电类型注入区的深度，很好的起到了耐压的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 超势垒 整流 器件 | ||
【主权项】：
一种MOS超势垒整流器件，在整流器件的截面上包括一半导体基板，该半导体基板的下部为重掺杂的第一导电类型衬底，半导体基板的上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区，所述半导体基板的上表面定义为第一表面，半导体基板的下表面定义为第二表面，所述半导体基板的第一表面边缘覆盖有第一绝缘氧化层；第一绝缘氧化层围成有源区；该有源区内设有若干个沟槽，该沟槽由第一表面延伸进入第一导电类型漂移区；所述第一导电类型漂移区在沟槽的侧沟沿处设有第一导电类型注入区，所述第一导电类型漂移区上部设有与沟槽数量对应且相互独立的第二导电类型注入区，每个第二导电类型注入区包裹一个沟槽以及对应的第一导电类型注入区；在有源区内处于沟槽之间的所述第一表面上覆盖有第二绝缘氧化层，第二绝缘氧化层上覆盖有第一电极，所述第一电极上面覆盖有第三绝缘氧化层；所述半导体基板第一表面上及沟槽内设置有第一金属，第一金属与第一电极、第一导电类型注入区、第二导电类型注入区欧姆接触；所述半导体第二表面上设置有与第二表面欧姆接触的第二金属。
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