[实用新型]一种功率陶瓷外壳和功率芯片封装结构有效
| 申请号： | 201320376861.0 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN203367260U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 许艳军;李秀灵 | 申请（专利权）人： | 北京新雷能科技股份有限公司;深圳市雷能混合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100096 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率陶瓷外壳和功率芯片封装结构，所述功率陶瓷外壳包括外壳键合区、位于所述外壳键合区表面的焊接层、位于所述焊接层表面的铜铝复合过渡片，其中所述铜铝复合过渡片包括铜层和铝层，且所述铜层位于所述焊接层和所述铝层之间。在利用本实用新型提供的功率陶瓷外壳对功率半导体芯片进行封装时构成的功率芯片封装结构中，连接功率陶瓷外壳与功率半导体芯片的铝丝会与铜铝复合过渡片的铝层接触，形成可靠的铝铝键合系统，改进了功率半导体芯片的封装质量，提高了封装完成的功率陶瓷器件的长期工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 陶瓷 外壳 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种功率陶瓷外壳，其特征在于，包括外壳键合区、位于所述外壳键合区表面的焊接层、位于所述焊接层表面的铜铝复合过渡片，其中所述铜铝复合过渡片包括铜层和铝层，且所述铜层位于所述焊接层和所述铝层之间。
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