[实用新型]一种MOCVD反应设备有效
申请号: | 201320389770.0 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN203373421U | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
发明(设计)人: | 贺有志 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C30B25/08;C30B25/14 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种MOCVD反应设备,包括反应腔室、主进气口、排气口、载片盘和加热组件、次进气口、机械手通道、磁流体和马达、真空泵和尾气处理箱等,反应腔室内设有第一隔热筒,该第一隔热筒的内径小于或等于载片盘的直径,使得第一隔热筒与载片盘形成一个上方圆周方向有间隙的第一腔体。本实用新型的保护气体或冷却气体进气第一腔体后只能通过间隙,沿着载片盘下表面水平向外流动,防止保护气体或冷却气体相对于主气流逆向流动,对反应腔室内的气场造成紊乱。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 反应 设备 | ||
【主权项】:
一种MOCVD反应设备,包括密封的反应腔室(1)、主进气口(2)、排气口(3)、载片盘(4)、加热组件(5),以及反应腔室底部载片盘下方的次进气口(6),其特征在于,所述加热组件的外侧、载片盘的下方设有第一隔热筒(7),所述第一隔热筒与载片盘构成一上方圆周方向设有间隙的第一腔体(14)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的