[实用新型]一种异质结型太阳能电池有效
申请号: | 201320392390.2 | 申请日: | 2013-07-01 |
公开(公告)号: | CN203386765U | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 王强;虞铮栋;张孙;浩琛;罗阳;胡艳;张士兵 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/068 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 石敏 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种异质结型太阳能电池,包括N型硅、P型硅、顶电极,P型硅表面淀积有掺硼的非晶硅,非晶硅与P型硅形成同型异质结,非晶硅开有纵向槽,非晶硅表面淀积有氮化硅,顶电极穿过氮化硅和非晶硅的槽与P型硅欧姆接触,所述顶电极与非晶硅绝缘。本实用新型电池在非晶硅上开设纵向槽,以便顶电池穿过后与P型硅连接,而顶电极与非晶硅之间由于氮化硅的存在而被绝缘,因此确保异质结的正常运行;而且电池对电极烧入深度控制要求低,只需要对准槽中央往下烧制电极,使电极烧制P型硅即可,可见本电池的制造工艺简单,能够在产业上获得推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结型 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种异质结型太阳能电池,包括N型硅(1)、P型硅(2)、顶电极(3),其特征是所述P型硅(2)表面淀积有掺硼的非晶硅(4),所述非晶硅(4)与P型硅(2)形成同型异质结,所述非晶硅(4)开有纵向槽(5),非晶硅(4)表面淀积有氮化硅(6),顶电极(3)穿过氮化硅(6)和非晶硅(4)的槽(5)与P型硅(2)欧姆接触,所述顶电极(3)与非晶硅(4)绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的