[实用新型]半导体相变激发装置有效
| 申请号： | 201320394919.4 | 申请日： | 2013-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN203615799U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 樊建华;李富玲 | 申请（专利权）人： | 樊建华 |
| 主分类号： | F28D20/02 | 分类号： | F28D20/02;F25B21/02 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮 |
| 地址： | 211300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体相变激发装置，包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。本实用新型提供的上述方案，采用了相变蓄能技术，通过对相变的主动控制，摆脱了显热蓄能的局限，大大提高蓄热密度的同时达到了长期低热损储能的目的。采用上述方案的跨季蓄能系统建造、使用成本低，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 相变 激发 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体相变激发装置，其特征在于，包括至少一个半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷侧设置有相变介质通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于樊建华，未经樊建华许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320394919.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：紫外线老化试验箱
- 下一篇：一种低压蒸汽回收装置
