[实用新型]用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体有效
| 申请号： | 201320398823.5 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203312289U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 耿卫东;宋芃霖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体。可用于毫米波集成电路、波导传输和片上天线等。利用CMOS集成电路工艺制作，由硅衬底、氧化硅缓冲层、金属层、氧化硅绝缘层和上面的功能电路层组成，金属层制成分布式井字形结构。应用于毫米波集成电路设计，特别是一种集成片上天线，实现将天线与硅衬底有效隔离，阻挡天线入射电磁波进入硅衬底。本实用新型提出的用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体作为毫米波片上辐射天线与硅衬底之间的隔离层，结构简单，兼容CMOS工艺，应用于60吉赫兹集成片上天线，能够降低硅衬底对天线入射电磁波信号的损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 60 赫兹 天线 字形 人工 导体 | ||
【主权项】：
一种用于60吉赫兹片上天线的井字形人工磁导体，其特征在于该人工磁导体包括：硅衬底、氧化硅缓冲层、金属层、氧化硅绝缘层和功能电路层，从下到上依次堆叠制成；硅衬底位于下面，其上面覆盖一层氧化硅缓冲层，在氧化硅缓冲层上面为一层具有分布式井字形结构阵列的金属层，在金属层上面覆盖一层氧化硅绝缘层，氧化硅绝缘层的上面为功能电路层。
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