[实用新型]具有布拉格反射层的倒装芯片发光二级管有效
申请号: | 201320400551.8 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN203445144U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 王冬雷;庄灿阳;朱国栋 | 申请(专利权)人: | 大连德豪光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46 |
代理公司: | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人: | 杨焕军 |
地址: | 116100 辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管,发光二极管包括衬底材料、N型层、发光层、P型层、N电极及多个分散设置的P电极;P型层表面设置布拉格反射层,P电极凸出于布拉格反射层并在布拉格反射层表面形成凸点。制备时:制作外延片;制作电极;在P型层上形成布拉格反射层,使P电极露出于布拉格反射层并在布拉格反射层表面形成凸点;封装固晶。本实用新型在P型层上设置布拉格反射层,并设置多个凸出于布拉格反射层的P电极,使本实用新型倒装芯片具有高的光学取出效率,采用多点电极的结构,有利于电流密度均匀性提升,而且电极设计方案更加灵活,突破了现有倒装芯片发光二极管发光效率的技术瓶颈。 | ||
搜索关键词: | 具有 布拉格 反射层 倒装 芯片 发光 二级 | ||
【主权项】:
具有布拉格反射层的倒装芯片发光二极管,包括:衬底材料;形成于所述衬底材料上的N型层、发光层和P型层;形成于所述N型层上的N电极;其特征在于:所述P型层上形成有多个分散设置的P电极;在所述P型层表面设置布拉格反射层,所述P电极凸出于所述布拉格反射层并在所述布拉格反射层表面形成凸点。
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