[实用新型]一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管有效
| 申请号： | 201320402180.7 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN203351607U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黎国伟 | 申请（专利权）人： | 广州成启半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭英强 |
| 地址： | 510630 广东省广州市高新技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，包括衬底，衬底的背面覆盖有注入层，衬底的表面覆盖有外延层，所述外延层上形成有多个阱区，相邻两个阱区之间设有沟槽，沟槽内填充有多晶硅形成多晶硅栅，多晶硅栅上覆盖有层间氧化介质，各所述阱区内的两个第一导电类型接触区和一第二导电类型接触区均通过接触孔与接地端连接，所述层间氧化介质内还设有多个位于各多晶硅栅上方的金属板，所述的多个金属板均与注入层外部连接。本实用新型通过对绝缘栅型场效应管内部结构中的层间氧化介质进行优化，有效解决了在静电保护时触发电压过高的问题，大大提升了器件泄放电流的能力。本实用新型可广泛应用于半导体领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静电 保护 绝缘 场效应 | ||
【主权项】：
一种用于静电保护的绝缘栅型场效应管，其特征在于：包括具有第一导电类型的衬底（1），所述衬底（1）的背面覆盖有具有第二导电类型的注入层（2），所述衬底（1）的表面覆盖有具有第一导电类型的外延层（3），所述外延层（3）上形成有多个具有第二导电类型的阱区（4），各所述阱区（4）内设有两个第一导电类型接触区（41）和一个第二导电类型接触区（42），各所述阱区（4）内的第二导电类型接触区（42）设于两个第一导电类型接触区（41）之间，相邻两个阱区（4）之间设有沟槽（5），所述沟槽（5）内填充有多晶硅形成多晶硅栅（51），所述多晶硅栅（51）上覆盖有层间氧化介质（6），所述层间氧化介质（6）内设有接触孔（61），各所述阱区（4）内的两个第一导电类型接触区（41）和一第二导电类型接触区（42）均通过接触孔（61）与接地端连接，所述层间氧化介质（6）内还设有多个位于各多晶硅栅（51）上方的金属板（62），所述的多个金属板（62）均与注入层（2）外部连接。
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