[实用新型]一种多晶硅薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201320409443.7 | 申请日: | 2013-07-11 |
公开(公告)号: | CN203456485U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 羊亿;陈丝懿;王高飞;孙汝廷 | 申请(专利权)人: | 湖南师范大学 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0368 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410081 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池,其结构为:FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极,形成基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。技术方案为:在FTO或AZO透明导电玻璃上制备ZnO籽晶层,在ZnO籽晶层上生长N型ZnO纳米阵列,在N型ZnO纳米阵列上制备P型多晶硅薄膜,最后在多晶硅薄膜上蒸镀金属电极。此结构特征在于N型ZnO纳米阵列可以直接深入至Si薄膜内部,实现多晶硅薄膜全面包覆ZnO纳米棒,充分利用纳米阵列传递载流子的作用,降低载流子复合几率,有效提升光伏转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,其结构依次包括:FTO或AZO透明导电玻璃衬底、ZnO籽晶层、N型ZnO纳米阵列、P型多晶硅薄膜、金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的