[实用新型]一种多晶硅薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201320409443.7 申请日: 2013-07-11
公开(公告)号: CN203456485U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 羊亿;陈丝懿;王高飞;孙汝廷 申请(专利权)人: 湖南师范大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0368
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410081 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池,其结构为:FTO或AZO透明导电玻璃衬底/ZnO籽晶层/N型ZnO纳米阵列/P型多晶硅薄膜/金属电极,形成基于ZnO纳米阵列的n-ZnO/p-Si异质结太阳能电池。技术方案为:在FTO或AZO透明导电玻璃上制备ZnO籽晶层,在ZnO籽晶层上生长N型ZnO纳米阵列,在N型ZnO纳米阵列上制备P型多晶硅薄膜,最后在多晶硅薄膜上蒸镀金属电极。此结构特征在于N型ZnO纳米阵列可以直接深入至Si薄膜内部,实现多晶硅薄膜全面包覆ZnO纳米棒,充分利用纳米阵列传递载流子的作用,降低载流子复合几率,有效提升光伏转换效率。
搜索关键词: 一种 多晶 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种基于ZnO纳米阵列的多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于,其结构依次包括:FTO或AZO透明导电玻璃衬底、ZnO籽晶层、N型ZnO纳米阵列、P型多晶硅薄膜、金属电极。 
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