[实用新型]高低结多子电导调制功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201320420473.8 | 申请日： | 2013-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN203481241U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王立模 | 申请（专利权）人： | 王立模 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214062 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 低结多子电导调制功率MOSFET器件是在常规功率MOSFET的P-基区与N-漂移区之间插入一个掺杂浓度比N-区高得多之N层的改进型功率MOSFET器件。这N层与N-层构成具有多子注入功能的N/N-高低结。器件处于开态时，漏极电压恰好给该高低结施加正偏，它驱使静态时在N-区形成的电子积累层中的高密度电子和N层中的高密度电子同时向低掺杂浓度的N-漂移区注入，实现对N-漂移区的多子电导调制，降低中、高压功率MOSFET的导通电阻。采用窄元胞间距结构能够避免因插入高浓度N层引起的击穿电压的下降。给出了多种沟槽栅结构和一种平面栅结构的高低结多子电导调制功率MOSFET器件的器件结构和制作工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 高低 结多子 电导 调制 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
一类高低结多子电导调制功率MOSFET器件，由MOSFET元胞(101)，N/N‑高低结(102)，N‑漂移区(103)，以及器件衬底(104)四部分组成；其结构特征是它在由MOSFET元胞(101)，N‑漂移区(103)，以及器件衬底(104)三部分组成的常规功率MOSFET器件的P‑基区(2)与N‑漂移区(3)之间插入一个掺杂浓度比N‑漂移区掺杂浓度高得多但低于沟道区(7)中峰值浓度的N层(6)，它与N‑漂移层构成具有多子注入功能的N/N‑高低结J4；当器件处于开态工作时，漏极电压恰好使N/N‑高低结J4处于正偏，它驱使静态时形成的的高浓度电子积累层(19)中的可动电子和N层(6)中的高浓度可动电子同时向N‑漂移区(3)注入，增大N‑漂移区(3)的电导率，实现对N‑漂移区的多子电导调制，降低N‑漂移区的导通电阻，从而降低中、高压功率MOSFET的总导通电阻。
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