[实用新型]自组装磁存储记忆体有效
申请号: | 201320427733.4 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN203552697U | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 徐永兵;杨阳 | 申请(专利权)人: | 江苏海纳磁性纳米新材料科技有限公司 |
主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226000 江苏省南通市南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供自组装磁存储记忆体,包括记忆体本体,记忆体本体包括圆盘形硬盘衬底,硬盘衬底一其圆心为中心,设有若干条环形轨道凹槽,轨道凹槽中设有二氧化硅纳米球阵列,二氧化硅纳米球接触空气的表面设有铁铂薄膜,形成铁铂纳米点阵。本实用新型的自组装磁存储记忆体,最大限度地降低了磁畴间的耦合效应;在满足高磁记录密度条件的同时兼具环境稳定性的优越性。 | ||
搜索关键词: | 组装 存储 记忆体 | ||
【主权项】:
自组装磁存储记忆体,其特征在于,包括记忆体本体(1),所述记忆体本体(1)包括圆盘形硬盘衬底(101),所述硬盘衬底(101)一其圆心为中心,设有若干条环形轨道凹槽(1011),所述轨道凹槽(1011)中设有二氧化硅纳米球(1012)阵列,所述二氧化硅纳米球(1012)接触空气的表面设有铁铂薄膜层(1201)。
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