[实用新型]背照式图像传感器有效

专利信息
申请号: 201320429340.7 申请日: 2013-07-15
公开(公告)号: CN203456461U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 赵立新 申请(专利权)人: 格科微电子(上海)有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王刚
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种背照式图像传感器,所述背照式图像传感器包括:硅片层,其包括用于感光产生电信号的光电二极管,所述硅片层具有正表面和背表面;后端层,其设置于所述硅片层的正表面,所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层;入光层,其包括微透镜层和滤光膜层,所述入光层设置于所述硅片层背表面;所述后端层还包括:吸光层,其设置于所述后端层预设位置,所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。本实用新型采用的吸光层吸收从器件层透射过来的光线,由此大大降低透射光线被反射到其他像素的机会,从而降低相邻像素之间的相互串扰。
搜索关键词: 背照式 图像传感器
【主权项】:
一种背照式图像传感器,包括: 硅片层,其包括用于感光产生电信号的光电二极管,所述硅片层具有正表面和背表面; 后端层,其设置于所述硅片层的正表面,所述后端层包括晶体管栅极、栅氧化层、导线层和介电层; 入光层,其包括微透镜层和滤光膜层,所述入光层设置于所述硅片层背表面; 其特征在于,所述后端层还包括: 吸光层,其设置于所述后端层预设位置,所述吸光层用于吸收从硅片层透射过来的光线。 
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