[实用新型]硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构有效

专利信息
申请号: 201320435703.8 申请日: 2013-07-22
公开(公告)号: CN203367240U 公开(公告)日: 2013-12-25
发明(设计)人: 沈首良 申请(专利权)人: 沈首良
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50
代理公司: 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 代理人: 李富华
地址: 321400 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了属于二极管和晶闸管零部件组装技术范围的一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构。在石墨模的底面中心开有透气孔,将石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片依次叠放,组成一组,平放入石墨模内,3-5组叠放一起,上面再放一片石墨隔离片,最后放置压块。采用本晶闸管烧结组装结构烧结硅-铝-钼圆片的结果达到硅片边缘合金沾润良好,均匀,克服崩边现象发生,提高硅圆片、铝圆片和钼圆片烧结成品率。
搜索关键词: 硅片 边缘 合金 良好 二极管 晶闸管 烧结 组装 结构
【主权项】:
一种硅片边缘合金沾润良好的二极管和晶闸管烧结组装结构,其特征在于,在石墨模的底面中心开有透气孔,将石墨隔离片、硅圆片、铝圆片和钼圆片依次叠放,组成一组,平放入石墨模内,3‑5组叠放一起,上面再放一石墨隔离片,最后放置压块。
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