[实用新型]太阳电池阵用大面积硅旁路二极管有效
| 申请号： | 201320436633.8 | 申请日： | 2013-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN203434160U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梁存宝;杜永超;欧伟;韩志刚 | 申请（专利权）人： | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/43;H01L29/06 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，包括三角形P型硅衬底，衬底上面自下至上有磷扩散层和上电极，衬底下面自上至下有硼扩散层和下电极，磷扩散层周围的衬底有氧化环，其特点是：所述氧化环和衬底之间制有P+硼隔离环；所述上电极为Ti-Pd-Ag上电极系统；所述下电极为Al-Ti-Pd-Ag下电极系统。本实用新型采用了Ti-Pd-Ag上电极系统和Al-Ti-Pd-Ag下电极系统，大幅提高了电极的抗拉力强度，增强了电极的牢固度，具有电极不变形、不脱落的特点；采用了在氧化环保护下的P+硼隔离环，达到隔离反向漏电流的目的，使得反向漏电流小于1μA，具有可靠性高、稳定性好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳电池 大面积 旁路 二极管 | ||
【主权项】：
太阳电池阵用大面积硅旁路二极管，包括三角形P型硅衬底，衬底上面自下至上有磷扩散层和上电极，衬底下面自上至下有硼扩散层和下电极，磷扩散层周围的衬底有氧化环，其特征在于：所述氧化环和衬底之间制有P+硼隔离环；所述上电极为Ti‑Pd‑Ag上电极系统；所述下电极为Al‑Ti‑Pd‑Ag下电极系统。
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