[实用新型]绝缘栅半导体装置结构

摘要

本实用新型涉及绝缘栅半导体装置结构。针对现有技术的问题，在一个实施例中，一种半导体装置包括绝缘槽电极结构。所述半导体装置使用修改的光刻工序以产生将所述槽电极与所述半导体装置的区域隔开的厚介电层和薄介电层的交替区域来形成。所述薄介电层可被配置来控制沟道区域的形成，以及所述厚介电层可被配置来降低开关损耗。本实用新型至少解决了一个所提出的技术问题并取得相应的技术效果。

主权项

一种绝缘栅半导体装置结构，其特征在于包括：具有主表面的半导体材料区域；从所述主表面延伸的第一槽；从所述主表面延伸且与所述第一槽隔开的第二槽；沿着所述第一和第二槽的下表面以及所述第一和第二槽的第一上表面的至少一部分形成的第一介电层；沿着所述第一和第二槽的第二上表面的至少一部分形成的第二介电层，其中所述第二介电层比所述第一介电层薄；在所述第一槽内沿着所述第一和第二介电层形成的第一导电电极；以及在所述第二槽内沿着所述第一和第二介电层形成的第二导电电极，其中所述第一和第二导电电极以及所述第二介电层被配置来控制所述半导体材料区域内的沟道区域。