[实用新型]阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320439034.1 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN203367271U | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李田生;郭建;谢振宇 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例公开了一种阵列基板及显示装置，其中，该显示装置设有该阵列基板，属于显示技术领域。解决了现有技术中GOA区域的边缘会形成向下开口的倒角，影响GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性的技术问题。该阵列基板，包括显示区域和GOA区域，在所述GOA区域，从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属，且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接；其中，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。本实用新型应用于OLED面板、液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括显示区域和GOA区域，其特征在于：在所述GOA区域，从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属，且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接；其中，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。
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