[实用新型]静态随机存储晶胞的布局有效
申请号: | 201320456575.5 | 申请日: | 2013-07-29 |
公开(公告)号: | CN203434158U | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 张弓 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L23/522 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型揭示了一种静态随机存储晶胞的布局,所述静态随机存储晶胞设置为一矩形,所述静态随机存储晶胞包括两组交叉耦合的基本电路,每一所述基本电路具有两个有源区和两个栅极交错形成的一拉升晶体管、一拉压晶体管以及一传输晶体管,所述栅极平行于所述矩形的长度方向设置,所述有源区平行于所述矩形的宽度方向设置,每一所述基本电路中的两个有源区上共享一接触线,所述接触线上具有一接触互连槽,另一所述基本电路中的一个栅极上具有一栅互连槽,每一所述基本电路中的接触互连槽与另一所述基本电路中的栅互连槽相通。本实用新型的静态随机存储晶胞的布局可以提高集成电路布局的集成度,使得所述静态随机存储晶胞的面积小于等于0.081μm2。 | ||
搜索关键词: | 静态 随机 存储 晶胞 布局 | ||
【主权项】:
一种静态随机存储晶胞的布局,其特征在于,所述静态随机存储晶胞设置为一矩形,其中,所述静态随机存储晶胞包括两组交叉耦合的基本电路,每一所述基本电路具有两个有源区和两个栅极交错形成的一拉升晶体管、一拉压晶体管以及一传输晶体管,所述栅极平行于所述矩形的长度方向设置,所述有源区平行于所述矩形的宽度方向设置,每一所述基本电路中的两个有源区上共享一接触线,所述接触线上具有一接触互连槽,另一所述基本电路中的一个栅极上具有一栅互连槽,每一所述基本电路中的接触互连槽与另一所述基本电路中的栅互连槽相通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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