[实用新型]一种容量为256M×8bit的立体封装SDRAM存储器有效
| 申请号： | 201320465313.5 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN203423178U | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王烈洋;黄小虎;蒋晓华;颜军 | 申请（专利权）人： | 珠海欧比特控制工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种容量为256M×8bit的立体封装SDRAM存储器，包括四个容量为128M×4bit的SDRAM芯片：第一SDRAM芯片、第二SDRAM芯片、第三SDRAM芯片和第四SDRAM芯片；还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个SDRAM芯片分别一一对应地设置四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 256 bit 立体 封装 sdram 存储器 | ||
【主权项】：
一种容量为256M×8bit的立体封装SDRAM存储器，其特征在于，包括四个容量为128M×4bit的SDRAM芯片：第一SDRAM芯片、第二SDRAM芯片、第三SDRAM芯片和第四SDRAM芯片；还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个SDRAM芯片分别一一对应地设置四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海欧比特控制工程股份有限公司，未经珠海欧比特控制工程股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320465313.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：滑槽式自动铰链机
- 下一篇：一种混凝土泵车后桥再制造焊接工装
- 同类专利
- 专利分类
