[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201320491298.1 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN203456495U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吴裕朝;吴冠伟;刘艳;王瑞庆 | 申请（专利权）人： | 刘艳 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 523909 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种LED芯片，包括：依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和反射层；5个或6个直径不超过40微米的第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离。其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布，提高了发光均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；第一导电型半导体层，位于所述衬底的正面；发光层，位于所述第一导电型半导体层的正面；第二导电型半导体层，位于所述发光层的正面；反射层，位于所述第二导电型半导体层的正面；5个或6个直径不超过40微米的第一电极孔，各自延伸穿过所述反射层、所述第二导电型半导体层和所述发光层；多个第二电极孔，各自延伸穿过所述反射层；第一电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第一电极孔与所述第一导电型半导体层电性接触；第二电极，至少部分位于所述反射层的正面，经由所述第二电极孔与所述第二导电型半导体层电性接触；以及隔离层，位于所述反射层的正面，用以将所述第一电极与所述第二电极绝缘隔离，其中，在所述反射层的正面上，至少围绕一个所述第一电极孔的所述第二电极孔呈对称图形分布。
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