[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201320499540.X | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN203434185U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李明刚 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/46;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED芯片，包括以下部分：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的N型层；形成在N型层之上的量子阱；形成在量子阱之上的电子阻挡层；形成在电子阻挡层之上的P型层；形成在P型层之上的钝化层；P电极，P电极从衬底的下表面贯穿至P型层的下表面；以及N电极，N电极从衬底的下表面贯穿至N型层的下表面。该LED芯片具有出光率高、散热性好、制造成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括以下部分：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层之上的量子阱；形成在所述量子阱之上的电子阻挡层；形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层；形成在所述P型GaN层之上的钝化层；P电极，所述P电极从所述衬底的下表面贯穿至所述P型GaN层的下表面；以及N电极，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述N型GaN层的下表面。
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