[实用新型]提高SRAM写能力的位线负电压电路

摘要

本实用新型公开了一种新型提高SRAM写能力的电路，其包括位线电压追踪电路、电容充电电路、电容放电电路、预放电电路、预放电控制电路和耦合电容。通过预放电控制电路产生的偏置电压控制预放电电路的放电能力，将与耦合电容耦接的电容推动端的电压提前降低，使电容推动端在高电源电压下的电位低于在低电源电压的情况下，这样在高电源电压下产生的负电压的绝对值低于低电源电压下产生的，从而在保证了SRAM在低电源电压下的写能力的同时，又解决了在高电源电压下产生的负电压的绝对值过高所带来的问题。

主权项

一种提高SRAM写能力的位线负电压电路，包括一个耦合电容、一个电容充电电路、一个电容放电电路，其特征是：还包括一个预放电电路和一个预放电控制电路，其中耦合电容耦接在电容推动端以及电容被推动端之间，电容被推动端与位线相连；电容充电电路耦接在电源电压以及电容推动端之间，依靠电容充放电控制端和电容充电使能端控制是否对电容充电；电容放电电路耦接在电容推动端以及参考电压之间，依靠电容充放电控制端控制是否对电容放电；预放电电路耦接在电容推动端以及参考电压之间，通过预放电控制电路产生的偏置信号大小决定放电能力的大小；预放电控制电路耦接在电源电压以及参考电压之间，通过预放电控制使能信号产生偏置信号。