[实用新型]高反压双极型功率晶体管有效
| 申请号： | 201320511512.5 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN203406292U | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/08;H01L23/522 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 樊文红 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高反压双极型功率晶体管，在长宽为3260μm×3260μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基区和反射区之间通过绝缘槽分割开。本实用新型的版图，使反射极的宽度增加以达到更大的限流，而且面积利用率极高。 | ||
| 搜索关键词： | 高反压双极型 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
高反压双极型功率晶体管，在长宽为3260μm×3260μm的低掺杂N型硅的集电区上的设有正方形的高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的反射区，其特征是，所述反射区由若干排成阵列的圆形小反射区组成，每个所述小反射区的圆心处设有反射区接触孔，反射区接触孔由反射极金属化电极条连接至反射极电极；相邻的每四个所述小反射区的中心处的基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基区和反射区表面覆盖有铝层，基极金属化电极条和反射极金属化电极条之间通过绝缘槽分割开。
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