[实用新型]硅镱量子级联和PIN混合发光管

摘要

本实用新型公开了一种硅镱量子级联和PIN混合发光管，包括单晶硅基层，在单晶硅基层上设有P型Si层或N型Si层，在P型Si层上设有硅镱量子级联薄膜，硅镱量子级联薄膜是由两层以上的镱膜，并在镱膜之间交替硅层组成；在硅镱量子级联薄膜的最顶部设有N型Si层，在顶部的N型Si层上设有透明电极薄膜；P型Si层通过电极引出后与电源的正极连接，N型Si层通过电极膜层引出后与电源的负极连接。本实用新型形成硅半导体能带中的局域态子带结构，构成四能级系统，其中的两组局域态子带能级之间可以形成粒子数反转，产生强发光乃至激射，能在1400nm到1600nm光通信波段实现了LED发光，并且成本低廉，使用效果好。

主权项

一种硅镱量子级联和PIN混合发光管，包括单晶硅基层（1），其特征在于：在单晶硅基层（1）上设有P型Si层（2）或N型Si层（3），在P型Si层（2）上设有硅镱量子级联薄膜，硅镱量子级联薄膜是由两层以上的镱膜（4），并在镱膜（4）之间交替硅层（5）组成；在硅镱量子级联薄膜的最顶部设有N型Si层（3），在顶部的N型Si层（3）上设有透明电极ITO薄膜（6）；P型Si层（2）通过金属电极（8）引出后与电源（7）的正极连接，N型Si层（3）通过电极ITO膜层（6）引出后与电源（7）的负极连接。