[实用新型]集成电路结构有效
| 申请号： | 201320516896.X | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN203721726U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | N·劳贝特;柳青;S·波诺斯 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例涉及一种集成电路结构，包括：经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成的隔离沟槽；以及所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的横向外延生长区域。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，其特征在于，包括：经过在衬底上的薄掩埋氧化物上面的有源半导体层形成的隔离沟槽；以及所述有源半导体层的向所述隔离沟槽中延伸的横向外延生长区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
