[实用新型]NPN型功率晶体管有效
| 申请号： | 201320522811.9 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN203415582U | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06;H01L29/41 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 樊文红 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | NPN型功率晶体管，在正方形的第一高掺杂N型硅的基底上设有低掺杂N型硅集电区，集电区的中心区域设有正方形的P型硅的基区，基区的外围、与基区横向相隔一段距离，设有环形的P型硅的场限环，基区上设有第二高掺杂N型硅的发射区，所述集电区的周边设有第二高掺杂N型硅的沟道截止环，集电区、发射区和基区的上表面设有绝缘层，发射区的绝缘层上设有窄于发射区宽度的发射区接触孔，发射区的两侧的基区的绝缘层上设有基区接触孔，发射区接触孔和发射区电极连接，基区接触孔和基极电极连接，场限环上设有场板，基底的底面设有钒镍银或钒镍金合金层，合金层和集电极电极连接。本实用新型具有好的热击穿和频率响应性能和极好的二次击穿性能。 | ||
| 搜索关键词： | npn 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
NPN型功率晶体管，其特征是，在正方形的第一高掺杂N型硅（N++）的基底上设有低掺杂N型硅（N—）集电区，集电区的中心区域设有正方形的P型硅的基区，基区的外围、与基区横向相隔一段距离，设有环形的P型硅的场限环，基区上设有第二高掺杂N型硅（N+）的发射区，所述集电区的周边设有第二高掺杂N型硅（N+）的沟道截止环，所述集电区、发射区和基区的上表面设有绝缘层，所述发射区的绝缘层上设有窄于发射区宽度的发射区接触孔，在所述发射区的两侧的基区的绝缘层上设有基区接触孔，所述发射区接触孔和发射区电极连接，所述基区接触孔和基极电极连接，所述场限环上设有场板，所述基底的底面设有钒镍银或钒镍金合金层，合金层和集电极电极连接。
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