[实用新型]一种LED管芯片及LED管有效
| 申请号： | 201320534863.8 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN203553205U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;叶国光 | 申请（专利权）人： | 刘晶 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 529000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种焊线成本低，焊点可靠的LED管芯片及LED管。一种LED管芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层和设置于P型半导体层上的P型电极，所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一电极接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED管芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层和设置于P型半导体层上的P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一电极接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。2、根据权利要求1所述的一种LED管芯片,其特征在于：所述第一电极接触层的材料为：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述电流阻挡层的材料为：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。3、根据权利要求1所述的一种LED管芯片,其特征在于：所述第二电极接触层的材料为：Ti或Ni，所述第三电极接触层的材料为Au或Pt或Cr或Wu或Pd。4、一种LED管，包括支架、安装于支架上芯片、电连接芯片与支架的焊线和焊点、覆盖所述支架和芯片的封装胶体，将芯片固定在支架上的导电胶，所述芯片包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层和设置于P型半导体层上的P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一电极接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层，所述焊线和焊点材料为： Au、Al、Ag、Pd或Cu。5、根据权利要求4所述的一种LED管,其特征在于：所述第一电极接触层的材料为：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述电流阻挡层的材料为：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。6、根据权利要求4所述的一种LED管,其特征在于：所述第二电极接触层的材料为：Ti或Ni，所述第三电极接触层的材料为Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
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