[实用新型]一种LED芯片及LED有效
| 申请号： | 201320534887.3 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN203434186U | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;叶国光 | 申请（专利权）人： | 刘晶 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 汤喜友 |
| 地址： | 529000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种LED芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上的部分区域被去除至显露N型半导体层，所述显露的N型半导体层上设置有N型电极，所述P型半导体层上未被去除的区域设置有P型电极，所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括衬底，和依次覆盖在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上的部分区域被去除至显露N型半导体层，所述显露的N型半导体层上设置有N型电极，所述P型半导体层上未被去除的区域设置有P型电极，其特征在于：所述P型电极包括有第一电极接触层，所述第一接触层上设置有电流阻挡层，所述P型半导体层上除电流阻挡层覆盖的区域以外设置有电流扩散层，所述电流阻挡层上设置有第二电极接触层，所述第二电极接触层上设置有第三电极接触层，所述第二电极接触层和第三电极接触层包裹所述电流阻挡层并与电流扩散层欧姆接触，所述第三电极接触层上设置有材料为金的电极焊线层。
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