[实用新型]一种用于单晶炉重掺砷杂质的挥发器装置有效
申请号: | 201320535991.4 | 申请日: | 2013-08-30 |
公开(公告)号: | CN203474956U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 张学强;黄永恩;范全东 | 申请(专利权)人: | 宁晋赛美港龙电子材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04;C30B29/06 |
代理公司: | 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 13108 | 代理人: | 李羡民;周晓萍 |
地址: | 055550 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 种用于单晶炉重掺砷杂质的挥发器装置,特别之处是,它包括第一高压桶和位于第一高压桶内的载料舟,所述第一高压桶外廓为圆柱形,其内部为中空结构,第一高压桶的顶部封闭、底部为通透的环形平面,在第一高压桶底部均匀分布气体通道。本实用新型使用时,各高压筒底部全部浸入熔硅中,气体通道部分露出熔硅表面,使挥发器装置内的气体有均匀配置的溢出口,防止挥发器与熔硅接触时,因挥发器内砷合金挥发时的气压升高造成挥发器抖动过激造成事故,有效解决了因气体空间的剧烈变化而产生的掺杂效率低的问题。采用本实用新型的有益效果是:明显减少了耗材用量,提高了杂质利用效率。 | ||
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【主权项】:
一种用于单晶炉重掺砷杂质的挥发器装置,其特征在于,它包括第一高压桶(4)和位于第一高压桶内的载料舟(6),所述第一高压桶外廓为圆柱形,其内部为中空结构,第一高压桶的顶部封闭、底部为通透的环形平面,在第一高压桶底部均匀分布气体通道(9)。
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