[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201320542481.X | 申请日： | 2013-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN203423189U | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 杨海鹏;尹傛俊;涂志中;金在光 | 申请（专利权）人： | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：栅电极、有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，所述刻蚀阻挡层设置于所述有源层与所述源电极和漏电极之间并且设置有第一过孔和第二过孔，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述栅电极与所述第一过孔的一部分和所述第二过孔的一部分重合，并与所述第一过孔和所述第二过孔之间的部分重合。本实用新型的技术方案可以减小像素电压浮动，提高显示效果。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极、有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，所述刻蚀阻挡层设置于所述有源层与所述源电极和漏电极之间并且设置有第一过孔和第二过孔，所述源电极通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述漏电极通过所述第二过孔与所述有源层连接，所述栅电极与所述第一过孔的一部分和所述第二过孔的一部分重合，并与所述第一过孔和所述第二过孔之间的部分重合。
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