[实用新型]高方阻铝膜有效
| 申请号： | 201320551115.0 | 申请日： | 2013-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN203521164U | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 许明建;周峰 | 申请（专利权）人： | 安徽赛福电子有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/005 | 分类号： | H01G4/005 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 244000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高方阻铝膜，包括基膜、加厚区、渐变方阻区，所述加厚区和所述渐变方阻区均为位于所述基膜上方的金属蒸镀层，且所述加厚区位于所述基膜的一侧，所述渐变方阻区位于所述基膜的另一侧和所述加厚区之间，且所述渐变方阻区的厚度自所述加厚区连接处向所述基膜的另一侧逐渐降低。所述加厚区降低了薄膜电容器的喷金层和芯子的接触电阻，能承受比较大的电流。所述渐变方阻区使其方块电阻出现从小到大的变化，并与电容器的电流密度分布相适应，提高电容器的耐压强度。 | ||
| 搜索关键词： | 高方阻铝膜 | ||
【主权项】：
一种高方阻铝膜，其特征是：包括基膜（1）、加厚区（2）、渐变方阻区（3），所述加厚区（2）和所述渐变方阻区（3）均为位于所述基膜（1）上方的金属蒸镀层，且所述加厚区（2）位于所述基膜（1）的一侧，所述渐变方阻区（3）位于所述基膜（1）的另一侧和所述加厚区（2）之间，且所述渐变方阻区（3）的厚度自所述加厚区（2）连接处向所述基膜（1）的另一侧逐渐降低。
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