[实用新型]一种功率半导体模块有效
申请号: | 201320555677.2 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN203617265U | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 蓝诚宇;伍刚;龚胜明;杨钦耀;陈刚 | 申请(专利权)人: | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L25/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315800 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种功率半导体模块,包括底座;DBC基板,所述DBC基板固定设置在所述底座的上方,所述DBC基板包括设置在其上的第一覆铜层、固定设置在所述第一覆铜层上方的陶瓷层以及固定设置在所述陶瓷层上方的多个间隔的第二覆铜层,所述陶瓷层上表面设有V字型的凹槽,所述凹槽位于相邻的两个所述第二覆铜层之间;芯片,所述芯片固定设置在所述第二覆铜层的上方;外壳,所述外壳覆盖所述芯片、DBC基板以及底座的上表面;电极,所述电极固定设置在所述外壳上表面;引线,所述引线一端连接所述电极,另一端连接所述芯片。本实用新型提供的功率半导体模块在受到外力作用时能够保护芯片,延长功率半导体模板的寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】:
一种功率半导体模块,其特征在于,包括:底座;DBC基板,所述DBC基板固定设置在所述底座的上方,所述DBC基板包括设置在其上的第一覆铜层、固定设置在所述第一覆铜层上方的陶瓷层以及固定设置在所述陶瓷层上方的多个间隔的第二覆铜层,所述陶瓷层上表面设有V字型的凹槽,所述凹槽位于相邻的两个所述第二覆铜层之间;芯片,所述芯片固定设置在所述第二覆铜层的上方;外壳,所述外壳覆盖所述芯片、DBC基板以及底座的上表面;电极,所述电极固定设置在所述外壳上表面;引线,所述引线一端连接所述电极,另一端连接所述芯片。
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