[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201320560673.3 | 申请日： | 2013-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN203491287U | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 谢春林 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种LED芯片，包括：衬底，所述衬底为图形化衬底，在衬底上依次形成的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和导电层，所述多量子阱层由InGaN阱层和InAlGaN垒层交替层叠形成，所述InAlGaN垒层的厚度为8~15纳米。本实用新型采用InAlGaN结构作为垒层，InAlGaN垒层中Al的加入可提高势垒层的能带高度，增加阱层和垒层之间的能带差，提升电子和空穴辐射的复合效率，从而提高LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为图形化衬底，在衬底上依次形成的缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层和导电层，所述多量子阱层由InGaN阱层和InAlGaN垒层交替层叠形成，所述InAlGaN垒层的厚度为8~15纳米。
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