[实用新型]集成电路裸片有效
| 申请号： | 201320583017.5 | 申请日： | 2013-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN203536430U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | J·H·张;L·A·克莱文杰;C·拉登斯;徐移恒;W·克利迈耶;C·戈德堡 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本实用新型的一个方面，提供一种集成电路裸片，包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的多个晶体管；位于所述半导体衬底之上的第一金属迹线和第二金属迹线；在所述第一金属迹线和所述第二金属迹线之上的第一金属间电介质层；在所述第一金属间电介质层中的第一孔隙；在所述第一孔隙中的导电材料；以及在所述导电材料中的第二孔隙，所述第二孔隙通过所述导电材料限定彼此隔离的第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞与所述第一金属迹线电接触，所述第二导电插塞与所述第二金属迹线电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路裸片，其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底中的多个晶体管；位于所述半导体衬底之上的第一金属迹线和第二金属迹线；在所述第一金属迹线和所述第二金属迹线之上的第一金属间电介质层；在所述第一金属间电介质层中的第一孔隙；在所述第一孔隙中的导电材料；以及在所述导电材料中的第二孔隙，所述第二孔隙通过所述导电材料限定彼此隔离的第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞与所述第一金属迹线电接触，所述第二导电插塞与所述第二金属迹线电接触。
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